Корпусний активний сабвуфер. Діаметр дифузора: 30 см (12") Номінальна потужність: 180 Вт Діапазон частот, що відтворюються: 35 Гц - 200 кГц Вбудований підсилювач MOSFET Дистанційне управління рівнем басу Входи високого рівня та лінійні (RCA)
Тип сабвуферу: корпусний активний. Конструкція: закритий плоский. Розмір: 6" x 8" (152 x 203 мм). Потужність ном./макс.: 100/200 Вт. Потужність підсилювача: клас D, 100/200 Вт. Частотний діапазон: 30-150 Гц. Розмір: (Ш х В х Г): 290 мм x 210 мм x 75 мм.
Тип сабвуферу: корпусний активний. Конструкція: щілинний фазоінвертор. Розмір: 8" (20см). Потужність ном./макс.: 100/200 Вт. Потужність підсилювача: клас D, 200 Вт. Частотний діапазон: 60-200 Гц. Розмір: (Ш х В х Г): 250 мм x 285 мм x 263 мм (D1)/203 мм (D2).
Тип сабвуферу: корпусний активний. Конструкція: закритий плоский. Розмір: 8" (200 мм). Потужність ном./макс.: 125/250 Вт. Потужність підсилювача: клас D, 250 Вт. Частотний діапазон: 35-120 Гц. Розмір: (Ш х В х Г): 344 мм x 250 мм x 71 мм.
Тип сабвуферу: корпусний активний. Конструкція: закритий плоский. Розмір: 8" (200 мм). Потужність ном./макс.: 125/250 Вт. Потужність підсилювача: клас D, 250 Вт. Частотний діапазон: 35-120 Гц. Розмір: (Ш х В х Г): 344 мм x 250 мм x 71 мм.
Тип сабвуферу: корпусний активний. Конструкція: фазоінвертор. Розмір: 12" (30см). Потужність ном./макс.: 150/450 Вт. Потужність підсилювача: клас D, 150 Вт. Частотний діапазон: 30-200 Гц. Опір 4 Ом. Розмір: (Ш х В х Г): 570 мм x 371 мм x 232 мм (D1)/305 мм (D2).
Корпусний активний сабвуфер. Діаметр дифузора: 30 см (12") Номінальна потужність: 180 Вт Діапазон частот, що відтворюються: 35 Гц - 200 кГц Вбудований підсилювач MOSFET Дистанційне управління рівнем басу Входи високого рівня та лінійні (RCA)